【天脉网】11月8日消息，随着消费级存储市场的低迷，高带宽存储器(HBM)技术正成为一股新的推动力。最新的报告指出，三星和美光两家公司正在积极筹备扩大HBM DRAM产能。
据了解，三星电子不惜耗资105亿韩元，进行了一项重大收购，涉及三星显示位于韩国天安市的某些工厂和设备，以扩大其HBM生产能力。此外，三星电子计划再次投资7000亿至1万亿韩元，用于新建封装线。早前，三星电子的副总裁兼DRAM产品和技术团队负责人黄相俊透露，三星已经成功研发出速度高达9.8Gbps的HBM3E，并计划向客户提供样品。而且，三星正在紧锣密鼓地开发HBM4，计划在2025年推出。有消息称，三星电子正在积极研发HBM4的各种技术，包括应对高温热特性和混合键合(HCB)优化的非导电胶膜(NCF)组装技术等。
与此同时，美光公司也积极准备着HBM的生产。该公司于11月6日在台中设立了新工厂，该设施将集成先进的测试和封装功能，致力于大规模生产HBM3E以及其他产品。此次扩展旨在满足人工智能、数据中心、边缘计算和云服务等多种应用领域不断增长的需求。美光公司的首席执行官Sanjay Mehrotra透露，该公司计划在2024年初开始大规模供应HBM3E。美光的HBM3E技术目前正在接受NVIDIA的认证，最初的HBM3E产品将采用8-Hi堆栈设计，容量为24GB，带宽超过1.2TB/s。此外，美光公司计划在2024年推出更大容量的36GB 12-Hi堆栈HBM3E。在早些时候的一份声明中，美光曾预计，到2024年，新的HBM技术将为公司带来“数亿美元”的收入。这些举措表明，HBM技术在未来存储市场中将发挥重要作用，为各种领域的高性能计算和数据处理提供强大的支持。
