国际最高水平!中国造出第一颗6英寸氧化镓单晶

   时间:2023-02-28 08:50 来源:快科技

据中国电子科技集团有限公司(中国电科)官方消息,近日,该公司46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶,达到国际最高水平。

氧化镓是新型超宽禁带半导体材料,拥有优异的物理化学特性,在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景。

不过,氧化镓具有高熔点、高温分解、易开裂等特性,因此,大尺寸氧化镓单晶的制备极为困难。

中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺寸、高掺杂、低缺陷等方向,从大尺寸氧化镓热场设计出发,成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构。

这一成果突破了6英寸氧化镓单晶生长技术,具有良好的结晶性能,可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制,将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。

近年来,中国电科在氧化镓、氮化铝、金刚石等超宽禁带半导体材料领域取得了重大突破和标志性成果,有力支撑了我国超宽禁带半导体材料的发展。

国际最高水平!中国造出第一颗6英寸氮化镓单晶
 
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