三星紧随其后:明年计划推出300+层闪存产品

   时间:2023-08-21 08:42 来源:天脉网

【天脉网】8月21日消息,NAND闪存技术正呈现出日益令人瞩目的发展势头。在这场技术竞赛中,SK海力士、三星、美光以及长江存储等行业巨头纷纷亮出了自己的底牌。近日,SK海力士再次成为焦点,宣布成功研发全球首款300+层闪存,创下了321层的震撼记录。这种新型闪存采用了TLC技术,单颗芯片容量达到1Tb(128GB),然而,令人遗憾的是,要等到2025年才能够投入量产。

在这场技术角逐中,三星也紧随其后,计划于明年推出300+层的闪存产品。尽管目前尚未透露具体的技术细节,但从已知信息来看,这款产品仍将采用双重堆叠技术,每一层的设计难度都不容小觑。然而,三星似乎已经找到了解决难题的方法,使得这一技术目标不再遥不可及。

全球第一:三星闪存明年超300层!2030年突破1000层

据天脉网了解,NAND闪存技术在过去几年里取得了令人瞩目的突破,不仅在存储密度方面取得了巨大进展,还在性能和可靠性方面不断提升。SK海力士的321层闪存以及三星即将推出的300+层闪存,都将进一步推动存储技术的边界,为数据中心、企业级市场以及个人用户提供更大、更快、更稳定的存储解决方案。

不仅如此,三星还宣布了一款256TB的企业级SSD,采用QLC技术,这将进一步满足大规模数据存储的需求。此外,该公司还在研发容量超过1000TB的PB级SSD,为未来的数据存储提供了更多可能性。可以预见,随着技术的不断创新,存储技术将持续演进,为各行各业带来更多的机遇和挑战。

 
标签: 三星
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