【天脉网】11月8日消息，随着消费级存储市场陷入低迷，高带宽存储器(HBM)技术迅速崭露头角，引领存储产业新风潮。最新的报告指出，三星和美光两大巨头公司正在积极策划扩展HBM DRAM生产，为市场带来新的活力。
据天脉网了解，三星电子已投资105亿韩元，完成对其位于韩国天安市的某些工厂和设备的收购，旨在扩大HBM的生产能力。此外，三星电子计划再次投资7000亿至1万亿韩元，用于新建封装线。此前，三星电子副总裁兼DRAM产品和技术团队负责人黄相俊先生透露，公司已经成功开发出速度高达9.8Gbps的HBM3E，并计划向客户提供样品。此外，三星正在全力研发HBM4技术，计划于2025年推出。该公司积极开发HBM4的各项技术，包括针对高温热特性和混合键合(HCB)优化的非导电胶膜(NCF)组装技术等。
另一家巨头美光也积极推进HBM生产，于11月6日在台中设立新工厂，将整合先进的测试和封装功能，致力于大规模生产HBM3E以满足不断增长的人工智能、数据中心、边缘计算和云服务等应用领域的需求。美光首席执行官Sanjay Mehrotra透露，公司计划在2024年初开始大规模交付HBM3E，而其HBM3E技术目前正在接受NVIDIA的认证。初期的HBM3E产品将采用8-Hi堆栈设计，容量高达24GB，带宽超过1.2TB/s。此外，美光还计划在2024年推出更大容量的36GB 12-Hi堆栈HBM3E。在早期的声明中，美光曾预测，到2024年，新的HBM技术将为公司贡献“数亿美元”的收入，为公司未来的发展注入新活力。
