三星积极推进2纳米工艺 挑战台积电

   时间:2023-10-13 14:17 来源:天脉网

【天脉网】10月13日消息,根据DigiTimes最新报道,三星正积极推进2纳米工艺,旨在在半导体前沿领域向台积电发起挑战。

三星半导体和设备解决方案(DS)部门负责人Kye Hyun Kyung曾公开表示,他们计划在未来5年内超越台积电和其他行业巨头。

根据韩国新闻媒体Money Today援引的内部消息,三星的半导体代工部门正在快速推进2纳米生产计划,他们正在整合优势资源,以加速2纳米技术的研发。一些业内人士甚至猜测,三星可能会跳过3纳米生产,直接进入2纳米制造工艺。

今年6月,三星官方公布了最新的工艺技术路线图,计划在2025年推出2纳米级的SF2工艺,以及在2027年推出1.4纳米级的SF1.4工艺。同时,他们还公布了SF2工艺的一些特性。

三星的SF2工艺是在今年早些时候推出的第三代3纳米级(SF3)工艺的基础上进一步优化的。相比于SF3,SF2工艺可以在相同的频率和复杂度下提高25%的功耗效率,或者在相同的功耗和复杂度下提高12%的性能,或者在相同的性能和复杂度下减少5%的面积。

为了提升SF2工艺的竞争力,三星还将为该工艺提供一系列先进的IP组合,包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等。这一举措表明,三星正全力以赴,以在半导体制造领域取得领先地位。

 
标签: 三星
因内容太旧或其它原因,不再提供查看,如有问题,请联系下方微信。
免责声明:本站所提供的文章资讯等内容均为作者提供、网友推荐、互联网整理而来,仅供学习参考,并不代表本网赞同其观点,如有侵犯您的版权,请及时通知我们,本站将在三个工作日内改正。
反对 0举报 0 收藏 0
 
更多>同类天脉资讯
全站最新
热门内容
媒体信息
新传播周刊
新传播,传播新经济之声!
网站首页  |  关于我们  |  联系方式  |  版权隐私  |  网站留言  |  RSS订阅  |  违规举报