【天脉网】10月13日消息，根据DigiTimes最新报道，三星正积极推进2纳米工艺，旨在在半导体前沿领域向台积电发起挑战。
三星半导体和设备解决方案(DS)部门负责人Kye Hyun Kyung曾公开表示，他们计划在未来5年内超越台积电和其他行业巨头。
根据韩国新闻媒体Money Today援引的内部消息，三星的半导体代工部门正在快速推进2纳米生产计划，他们正在整合优势资源，以加速2纳米技术的研发。一些业内人士甚至猜测，三星可能会跳过3纳米生产，直接进入2纳米制造工艺。
今年6月，三星官方公布了最新的工艺技术路线图，计划在2025年推出2纳米级的SF2工艺，以及在2027年推出1.4纳米级的SF1.4工艺。同时，他们还公布了SF2工艺的一些特性。
三星的SF2工艺是在今年早些时候推出的第三代3纳米级(SF3)工艺的基础上进一步优化的。相比于SF3，SF2工艺可以在相同的频率和复杂度下提高25%的功耗效率，或者在相同的功耗和复杂度下提高12%的性能，或者在相同的性能和复杂度下减少5%的面积。
为了提升SF2工艺的竞争力，三星还将为该工艺提供一系列先进的IP组合，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等。这一举措表明，三星正全力以赴，以在半导体制造领域取得领先地位。
