存储芯片巨头SK海力士首席执行官郭鲁正在面向员工的新年致辞中明确指出，人工智能（AI）技术引发的市场需求已从爆发式增长转向常态化发展，行业竞争格局正经历深刻变革。作为全球存储芯片领域的核心参与者，SK海力士将战略重心调整为打造具有全球竞争力的科技企业，通过持续创新巩固市场地位。
市场研究机构DRAMeXchange最新数据显示，2025年全球存储芯片市场呈现量价齐升态势。PC端DRAM DDR4 8Gb产品平均合约价从2024年末的1.35美元飙升至2025年末的9.30美元，年度涨幅达663%，其中第四季度单季涨幅32.9%创历史新高。NAND Flash市场同样表现强劲，128Gb通用型产品价格年内上涨276%，推动三星、SK海力士等头部企业营收规模持续扩大。
财务数据显示，SK海力士在2025年前三季度实现综合营收64.3万亿韩元（约合445亿美元），营业利润28万亿韩元（约合194.11亿美元），不仅刷新公司历史纪录，更提前突破2024年全年23.4万亿韩元的盈利峰值。资本市场对此反应积极，公司股价在下半年累计涨幅超过140%，市值规模显著提升。
郭鲁正将业绩突破归功于团队协作与战略聚焦："全体员工与管理层形成高效协同，集团层面提供的资源支持为技术创新提供了坚实保障。"他特别强调，AI需求从"潜力领域"转变为"基础支撑"的转变，既带来发展机遇也伴随新的挑战。这种判断与近期市场关于"AI泡沫"的讨论形成呼应，凸显行业对技术落地效果的审慎态度。
在产能布局方面，SK海力士已提前锁定2026年订单。公司财务副社长金祐贤在三季度财报会议上透露，除高带宽存储器（HBM）持续供不应求外，传统DRAM和NAND产品也出现客户提前锁定产能的现象。这种"跨年度预订"模式反映出下游客户对供应链稳定性的高度关注。
竞争格局方面，三星电子凭借194亿美元的季度存储芯片收入在2025年第三季度重返全球榜首，但DRAM市场份额降至33%，略低于SK海力士的34%。这种分化主要源于HBM市场的技术差异——SK海力士在该领域保持显著优势，其产品广泛应用于AI数据中心等核心场景。
不过行业动态显示竞争压力正在加剧。三星HBM3E产品已进入英伟达供应链，HBM4的研发进度与商业化路径逐步清晰，这给SK海力士的技术领先地位带来挑战。市场分析认为，随着头部企业技术代差缩小，存储芯片市场的竞争将从单一产品维度扩展至全产业链生态构建。
面对新形势，郭鲁正提出三大战略方向：坚持SK管理体系（SKMS）下的技术领导力建设，强化盈利导向的经营模式；加大前瞻性投资力度，特别是在先进制程和下一代产品开发领域；构建全栈式AI存储解决方案，通过价值链整合提升客户粘性。他特别强调："在AI驱动的产业变革中，响应速度决定市场地位，我们必须突破既有框架，创造真正符合客户需求的差异化价值。"
