在功率半导体行业的深刻变革中，宏微科技董事长赵善麒以其独到的见解和坚定的信念，引领企业走出了一条技术创新与市场深耕并重的发展之路。
“尽管短期的价格战带来了挑战，但中国功率半导体高端市场仍有90%的广阔空间等待我们去征服。”赵善麒在接受专访时坦言。这不仅是宏微科技十九年坚守的意义所在，更是他们锚定长期价值、以硬核技术实力突破行业瓶颈的决心体现。
赵善麒，这位功率半导体行业的领航者，始终坚信坚守初心是破局的关键。面对行业的深度调整，他带领宏微科技以稳健的技术迭代和精准的市场布局，在本土化的浪潮中稳健前行。
“从芯出发，驱动未来”，这不仅是宏微科技的发展誓言，更是他们行动的真实写照。自2006年创业之初，赵善麒便敏锐地捕捉到了新能源汽车与工业控制领域对功率半导体的巨大需求，以及中国制造业向高端迈进过程中核心器件供应的瓶颈问题。于是，宏微科技以FRD为切入点，开启了技术追赶的征程。
经过多年的深耕细作，宏微科技在IGBT、FRD等功率半导体领域取得了关键技术的突破。他们不仅成功推出了M1dF系列芯片，还携手产业链伙伴完成了12英寸晶圆量产工艺的创新。特别是在车规级领域，宏微科技的第七代IGBT模块已实现了规模化生产，并成功跻身国内头部车企的供应链体系。
宏微科技的技术优势不仅体现在单个环节上，更贯穿于整个产业链。从芯片设计到封装工艺，再到严苛的测试流程，他们形成了完整的技术闭环。这使得他们的产品能够广泛应用于工业控制、新能源汽车、光伏储能、家电等多个领域，赢得了市场的广泛认可。
在业务规划上，宏微科技持续深化“新能源汽车+光伏储能+工业控制”三大核心市场的布局。他们不仅实现了车规模块装车量的翻倍增长，还稳定批量供应光伏模块，并与多家工业领域的头部客户建立了深度合作关系。在AI技术蓬勃发展的背景下，宏微科技还积极开拓数据中心、服务器电源等新兴领域，与多家国际客户达成了长期合作。
在第三代半导体风口来临时，宏微科技更是抓住了这一历史机遇。他们逆周期加大研发投入，全力突破SiC/GaN等前沿技术瓶颈。目前，公司的首款1200V 40mohm SiC MOSFET芯片已通过可靠性验证，自研SiC SBD芯片也已通过多家终端客户的验证，部分产品已形成小批量出货。宏微科技的控股子公司还在探索高附加值应用场景，加速推动第三代半导体器件的大批量出货。
在技术创新的同时，宏微科技还注重修炼内功，通过高端产品实现技术溢价，维持核心产品的定价优势。他们还积极拓展海外高端市场，以对冲单一市场风险。目前，公司的产品已打入日立能源、西门子等国际供应链，并计划加大欧洲市场的开拓力度。
赵善麒表示，宏微科技将继续以“硅基+碳化硅”技术为支撑，以“灌封+塑封”先进封装工艺为依托，持续提升核心竞争力。在功率半导体赛道上，他们将稳步向前，书写更加辉煌的篇章。
