近期，全球头部存储芯片厂商在资本市场上展开了一场激烈的市值较量。继三星电子市值突破万亿美元后，美光科技与SK海力士也相继迈入这一量级。5月26日美股收盘时，美光科技股价大涨19.29%，创下历史新高，市值首次突破万亿美元；次日，SK海力士股价盘中一度上涨11%，同样跻身万亿美元俱乐部。至此，全球三大DRAM存储原厂全部进入"万亿市值时代"。
这轮市值飙升的背后，是AI技术爆发带来的存储需求激增。作为AI训练核心硬件的高带宽内存（HBM），其市场主要由上述三家厂商主导。其中SK海力士目前占据最大市场份额，但美光科技正以惊人速度追赶。据TrendForce集邦咨询数据，2024年SK海力士在HBM生产位元占比达59%，美光和三星各占20%；但预计2025年SK海力士份额将降至50%，美光则提升至28%。
美光的追赶策略颇具成效。该公司跳过HBM3直接投入HBM3e研发，并成功进入英伟达供应链。在HBM产能布局上，美光显得更为激进——其HBM占内存总产能的比例达26%，高于三星的23%和SK海力士的18%。今年3月的英伟达GTC大会上，美光宣布为Vera Rubin架构设计的HBM4 36GB 12-high产品开始批量出货，与三星几乎同步进入量产阶段。
尽管在HBM领域表现亮眼，美光在整体存储市场仍与竞争对手存在差距。闪存市场数据显示，2024年第四季度DRAM营收中，三星以37.1%市占率领跑，SK海力士占33.1%，美光仅占20.8%；NAND闪存市场差距更大，同期美光市占率仅11.6%，远落后于前两名。不过财务数据显示，美光正快速缩小差距——截至2月26日的季度，其营收同比增长196%至238.6亿美元，净利润同比激增数倍至137.9亿美元。
当前三大厂商都面临行业供应紧张带来的机遇与挑战。随着AI算力需求持续攀升，HBM4进入商业化周期，存储芯片缺货现象预计将持续至2027年。美光计划在2026年实现DRAM和NAND供应量增长与行业同步（均超20%），但其能否在保持HBM优势的同时提升整体市场份额，仍需观察HBM4生产爬坡进度和良率表现。公司高管在财报会上透露，HBM4达到成熟良率的速度将快于前代产品，这或许是其追赶的关键筹码。
