台积电近日宣布，其研发的2纳米（N2）制程技术已按计划在2025年第四季度正式启动量产。这一突破标志着半导体行业在密度与能效领域迈入全新阶段，台积电凭借该技术进一步巩固了全球晶圆代工的领先地位。
N2技术采用第一代纳米片晶体管结构，通过全制程节点的优化设计，实现了性能与功耗的双重提升。为进一步挖掘制程潜力，台积电同步开发了低阻值重置导线层与超高效能金属层间电容技术，这些创新方案有效降低了信号传输损耗，同时增强了电路稳定性，为高密度芯片设计提供了关键支撑。
据技术资料显示，N2制程在晶体管密度方面较前代提升显著，单位面积内可集成更多逻辑单元，同时能效比优化幅度达行业领先水平。该技术特别针对节能运算需求进行优化，可广泛应用于人工智能、高性能计算及移动设备等领域，满足市场对低功耗高性能芯片的迫切需求。
台积电强调，N2及其衍生技术体系将通过持续迭代的策略布局，形成多维度技术壁垒。公司通过整合先进材料、精密制造与智能封装等环节，构建起覆盖全产业链的解决方案，这种系统级创新模式有望推动半导体行业进入新一轮技术竞赛周期。
