格力电器在芯片产业的深度布局近日取得了显著进展，伴随着关键的人事变动与技术上的重大突破，公司正稳步迈向新的发展阶段。
据悉，格力电器已成功构建了涵盖碳化硅（SiC）SBD和MOS芯片的完整工艺体系，部分自研芯片不仅实现了内部的大批量应用，还拓展至外部市场，为多家芯片设计公司提供晶圆流片制造服务。这一成就标志着格力在第三代半导体领域正式迈入了量产的新纪元。
在人事方面，格力电器宣布了一项重要调整：公司董事长兼总裁董明珠不再担任全资子公司珠海零边界集成电路有限公司（零边界）的法定代表人及董事长职务，这一角色将由格力电器副总裁李绍斌接棒。此次人事调整被视为零边界向更加独立、专业运营方向迈进的重要一步。
回顾格力电器的芯片研发历程，其战略眼光早在2015年便已显现。起初，公司从硅基芯片研发入手，逐步积累技术实力。自2018年起，格力加速布局第三代半导体领域，积极参与多个碳化硅项目，并通过投资闻泰科技、湖南国芯半导体以及认购三安光电定增股份等方式，深度介入功率芯片、IGBT、碳化硅及LED芯片等多个细分领域。
零边界作为格力电器芯片自主可控战略的核心平台，其前身可追溯至格力通信技术研究院的微电子所和功率半导体所。零边界的业务范围广泛，涵盖工业级MCU、AIoT芯片及功率器件的研发、生产与销售。近年来，零边界已推出多款高性能功率器件，并在“空调主控芯片国产化”项目中取得关键突破，为格力电器的家电产品国产化替代提供了有力支持。
在SiC芯片领域，格力的实力尤为突出。位于珠海高新区的6英寸SiC芯片工厂，作为亚洲首座全自动化IDM工厂，从奠基到通线仅用不到两年时间，展现了格力在芯片制造领域的高效与实力。该工厂规划年产能达24万片SiC晶圆，目前良率稳定且制造成本远低于行业平均水平，为格力SiC芯片的市场竞争力奠定了坚实基础。
格力自研的SiC芯片已在家用空调领域实现规模化应用，装机量突破百万台，显著提升了产品的能效与性能。格力正积极探索将SiC技术应用于新能源汽车、光伏储能等领域，如其在深圳地铁12号线应用的“无稀土+碳化硅”技术矩阵，预计每年可节省大量电费。
