全球存储芯片市场正经历新一轮价格风暴，三星电子近日宣布将2026年第一季度NAND闪存供货价格上调超100%，这一幅度远超市场预期。据供应链消息，三星已于去年底与主要客户完成新价格协议，相关涨幅自今年1月起正式生效。此前，该企业已将DRAM内存合同价最高上调近70%，两大核心存储产品同步提价引发行业震动。
价格传导效应迅速蔓延至整个产业链。全球NAND市场份额排名前二的SK海力士同步跟进，提价幅度与三星接近；排名第五的闪迪也计划在年内实施100%涨幅。野村证券分析指出，主流厂商集体调价标志着存储市场进入全面涨价周期，此前市场关于"局部波动"的判断已被推翻。市场调研机构TrendForce数据显示，2025年第四季度NAND价格已环比上涨33%-38%，而当前实际涨幅远超该机构对2026年一季度的预测值。
供需结构失衡构成此轮涨价的核心推力。需求侧呈现爆发式增长：AI技术普及催生海量数据存储需求，企业级固态硬盘订单量随AI基础设施投资激增；移动设备厂商为适配端侧AI功能，普遍采用更大容量存储方案；英伟达最新架构更将NAND纳入AI分层内存体系，进一步拓宽应用场景。供给侧则面临多重制约：过去一年行业未出现大规模扩产，三星等头部企业投资趋于谨慎，同时128层制程向更高阶升级以及产线QLC工艺改造，导致常规产能持续被压缩。
涨价冲击波已渗透至终端市场。AI企业反映存储成本攀升正在延缓技术落地速度，部分项目因"存储器瓶颈"面临延期风险；消费电子领域，智能手机和PC制造商开始酝酿产品涨价，通过价格传导缓解成本压力。行业分析师指出，由于先进制程产能释放需要18-24个月周期，短期内供给端难有实质性改善，涨价效应预计将持续至二季度。
当前三星正与客户就二季度供货价格展开新一轮谈判，市场普遍预期涨幅将维持在高位。随着DRAM与NAND形成涨价合力，存储行业呈现出周期性复苏与结构性变革并行的特征：传统价格波动规律与AI驱动的新需求逻辑相互交织，正在重塑全球存储芯片的定价体系。
