在第四代半导体材料领域，一项突破性成果引发关注。中国科学院上海光机所联合杭州富加镓业科技有限公司，在国际上首次运用垂直布里奇曼法（VB法）成功制备出8英寸氧化镓晶体。这一成果得益于上海市科委第四代半导体战略前沿专项的支持。
氧化镓作为第四代半导体的代表性材料，具备禁带宽度大、击穿场强高的特性，在超高压功率器件领域有着不可替代的重要应用价值。上海光机所是国内较早投身氧化镓晶体研究的科研单位，在VB法研究方面，与富加镓业紧密合作，大力提升关键装备制造、高精度模拟仿真、确定性热场设计这三大核心技术。
回顾过往，该研究团队成果斐然。2024年7月，在国内率先实现3英寸氧化镓晶体制备；同年12月，成功制备出4英寸晶体；2025年9月，再次取得突破，在国内首次实现6英寸晶体制备；直至2025年12月，刷新了国际VB法制备氧化镓晶体的最大尺寸纪录。
与其他制备方法相比，VB法在氧化镓晶体制备方面优势显著。其生长过程无需使用铱金，大幅降低了生长成本；温度场均匀、温度梯度小，更有利于生长出大尺寸、高质量的氧化镓晶体；能够生长柱状晶体，有效提高了材料制备效率；而且生长过程稳定，非常适合自动化、规模化生产，是实现大规模产业化的理想路径。
目前，上海光机所与富加镓业正携手下游用户，加快开展器件端对材料端的应用验证工作，持续优化氧化镓材料及器件性能，全力推动氧化镓产业化应用进程。
