广东致能半导体近日宣布，将于2025年11月联合国际知名8英寸晶圆厂，共同实现全球首个8英寸蓝宝石基氮化镓功率器件的规模化量产。这一突破标志着我国在第三代半导体材料领域的技术应用迈入新阶段，为高功率电子器件的国产化替代提供了关键支撑。
据技术团队介绍，该项目通过整合国际领先的制造工艺与创新技术平台，在芯片尺寸优化、生产成本管控、电学性能提升及制造良率等核心指标上，均展现出显著优于传统技术的综合优势。蓝宝石基氮化镓材料的应用，有效解决了传统硅基器件在高频、高压场景下的性能瓶颈，为5G基站、新能源汽车充电模块及工业电源等领域提供了更高效的解决方案。
作为国内第三代半导体领域的标杆企业，致能半导体自2018年成立以来，始终聚焦氮化镓功率器件的研发与产业化。公司构建了从芯片设计到封装测试的全链条IDM模式，产品矩阵覆盖TO247、TOLL、PQFN56等主流封装类型。其自主研发的硅基氮化镓高功率大电压常开平面元器件已实现量产交付，并在通信、消费电子等领域形成规模化应用。
今年7月，公司CEO黎子兰博士在瑞典国际氮化物半导体会议（ICNS）上，首次披露了硅基垂直GaN HEMT功率器件技术的突破性进展。该技术通过在硅衬底上实现垂直GaN/AlGaN结构生长与二维电子气沟道构建，成功研制出全球首款垂直型常开、常关双模式器件。其中，常关器件的阈值电压突破4V，技术原创性获得国际学术界高度认可，为高压功率器件的集成化设计开辟了新路径。
资本市场的持续加码为技术转化提供了强劲动力。截至目前，公司已完成从种子轮到C轮的多轮融资，投资方阵容涵盖高榕资本、博世创投、深创投等头部机构。今年1月的C轮融资恰逢量产关键期，资金将主要用于扩大产能规模、优化供应链体系及加速新一代产品研发，进一步巩固其在氮化镓功率器件市场的领先地位。
